Resultats de la cerca

Els paràmetres que controlen el procés són el coeficient de difusió de la impuresa en el material semiconductor, la temperatura i el temps A fi de controlar d’una manera precisa el perfil d’impureses, que serà un dels elements fonamentals que determinaran les característiques elèctriques dels dispositius, calen procediments de difusió amb un control estricte de la temperatura sobre tota la longitud d’escalfament Les fonts d’impureses emprades en els forns de difusió poden ésser gasoses, líquides o sòlides

Si el dopatge és fet amb donadors , el semiconductor obtingut és del tipus n , mentre que si és fet amb acceptors , és del tipus p A l’inici de la fabricació dels dispositius d’estat sòlid, les juncions s’obtenien mitjançant la fabricació d’aliatges metall-semiconductor En aquest mètode, es parteix d’una oblia de semiconductor on hom colloca una mica del metall apropiat El conjunt és escalfat a una temperatura prou alta perquè l’aliatge pugui realitzar-se, a continuació es refreda el conjunt i l’aliatge se solidifica La localització de la junció per aquest mètode és molt imprecisa ja que…

El mètode és teòricament aplicable sempre que les impureses presents rebaixin el punt de fusió de la substància pura, que és el cas més corrent a la pràctica Experimentalment hom el porta a terme disposant la mostra a purificar dins un receptacle refractari contingut en un tub de quars, per l’exterior del qual es desplaça lentament i a velocitat constant una resistència calefactora, la qual, en crear la zona fosa, la va desplaçant al llarg de tota la mostra, concentrant-hi les impureses presents Aquest mètode té aplicació principalment en la purificació de l’alumini…

Es basa en la diferència de pes o de volum existent entre el gra i les impureses que conté En la ventadora, el gra que hom vol netejar és garbellat en uns garbells adequats i sotmès, alhora, a un corrent d’aire que arrossega les impureses més lleugeres que aquell Sol formar part de la màquina de batre

Si ocupa un estat de la banda de conducció, hom parla d' electró de conducció , mentre que si l’ocupa a la banda de valència, hom parla de forat En casos en què hi ha una banda d’impureses, l’electró pot saltar d’un estat a un altre d’aquesta banda i comportar-se com un portador de la banda d’impureses efecte hopping

La recristallització és iniciada en sotmetre el metall o l’aliatge a un escalfament a partir d’una temperatura mínima, determinada per la composició de l’aliatge, la presència d’impureses, etc, anomenada temperatura inicial de recristallització i, en mantenir aquesta temperatura el temps suficient o en augmentar-la, van apareixent nous cristalls, que arriben a substituir totalment els antics El curs del fenomen és influït sobretot per la composició i la presència d’impureses, per la velocitat d’augment de la temperatura, per la durada del procés i pel grau de…

Conté un 65% de sucre 65 ° Brix, i quantitats variables de cendres i d’altres impureses

Depèn de la temperatura i de l’estat en què es troba la superfície forma cristallina, impureses adherides

La cristallització dóna lloc, en general, a una segregació, almenys parcial, de les impureses, les quals es concentren en les aigües mares

És una pedra preciosa molt emprada en joieria El seu color sembla originat per un petit contingut d’impureses de ferro o titani