Resultats de la cerca
Es mostren 6 resultats
acceptor
Electrònica i informàtica
En un semiconductor, àtom trivalent contingut com a impuresa o incorporat intencionadament a un element tetravalent capaç de rebre un electró provinent d’un altre àtom anomenat donador.
L’alumini, el bor, el galli i l’indi són els més comuns La presència dels àtoms acceptors crea en l’estructura cristallina una sèrie de forats que contribueixen a augmentar la conductivitat del semiconductor Quan aquest conté acceptors, hom diu que és un semiconductor de tipus p
guia d’ones
Electrònica i informàtica
Sistema emprat per a guiar ones electromagnètiques, especialment microones.
Generalment és una línia de transmissió consistent en un tub de secció rectangular o circular a través del qual es propaguen les ones que són reflectides a les parets interiors En el camp de l’optoelectrònica hom també experimenta amb circuits integrats per a guiar ones electromagnètiques en el rang de l’infraroig fins a les microones La realització d’una guia d’ones sobre un cert material que serveix de substrat consisteix a obtenir una regió d’índex de refracció diferent més alt que el material que l’envolta En materials amorfs hom ho aconsegueix mitjançant la deposició de capes primes de…
magnetoresistència
Electrònica i informàtica
Resistència que té un valor variable dependent del camp magnètic present.
Són fetes amb substàncies semiconductores, tals com l’antimonur d’indi, i basades en l’efecte Hall Llur resistivitat augmenta quan el camp magnètic és parallel al corrent, i disminueix quan aquests formen un angle recte Són emprades especialment per a detectar o mesurar camps magnètics, i en moduladors, ressonadors, wattímetres, etc Hom designa també les magnetoresistències amb la sigla MDR de l’anglès Magnetic Dependent Resistor
transistor
Tira de transistor bipolars
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic d’estat sòlid, basat en les propietats conductores dels materials semiconductors, que hom empra per a controlar o amplificar un corrent elèctric.
Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans JBarden i WBrattain, que juntament amb WSchockley treballaven als laboratoris de la Bell…
microona
Esquema de funcionament de les microones
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Ona electromagnètica l’espectre de freqüències de la qual és comprès entre 1 i 30 GHz, que correspon a unes longituds d’ona entre 1 i 30 cm, tot i que sovint també s’inclouen dins aquesta denominació ones amb freqüències més elevades.
Igual que les ones electromagnètiques de més baixa freqüència, les microones poden ésser generades mitjançant tubs de vuit o dispositius semiconductors les dificultats, però, que presenten quan hom vol assolir certs nivells de potència han donat lloc a la concepció de tubs especials com són els clistrons, els magnetrons, els oscilladors d’ona progressiva, etc Això no obstant, l’evolució constant dels dispositius actius d’estat sòlid i la introducció de nous semiconductors com l’arsenur de galli GaAs i el fosfur d’indi InP han fet progressar la tècnica i l’aplicació de les…
díode
díode: 1, característica V-1 d’un díode ideal pn; quan està polaritzat en inversa, pel circuit circula un feble corrent Io anomenat corrent invers de saturació; 2, característica V-I d’un díode de germani; hom observa l’existència d’un voltatge llindar de 0.1 V; 3, distribució de càrrega en una junció pn en equilibri termodinàmic; 4, diagrama de les bandes d’energia d’una junció pn a l’equilibri termodinàmic; ECN i ECP representen els nivells d’energia de la banda de conducció en les regions n i p respectivament, mentre que EVN i EVP es refereixen a la banda de valència; 5, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en directa; 6, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en inversa; els portadors lliures que tenen l’energia tèrmica suficient poden travessar la zona de càrrega espacial i donen lloc al corrent invers de saturació Io
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic proveït de dos elèctrodes, ànode i càtode, que té la propietat d’ésser conductor en el sentit càtode-ànode, però no al revés.
Aquest funcionament li confereix propietats rectificadores dels senyals elèctrics, les quals ja foren observades per F Braun el 1876 en collocar una punta metàllica sobre sulfur de plom Això donà lloc a la utilització de la galena com a detector en els primers receptors de ràdio Els primers díodes, com a tals, eren basats en tubs de buit o de gas Fleming i de Forest, 1909 on era produïda una emissió termoiònica descoberta per Edison el 1893 i explicada per DW Richardson, el 1903 Els tubs posseeixen un càtode calent escalfat mitjançant un filament incandescent que emet electrons per emissió…