Resultats de la cerca

Els paràmetres que controlen el procés són el coeficient de difusió de la impuresa en el material semiconductor, la temperatura i el temps A fi de controlar d’una manera precisa el perfil d’impureses, que serà un dels elements fonamentals que determinaran les característiques elèctriques dels dispositius, calen procediments de difusió amb un control estricte de la temperatura sobre tota la longitud d’escalfament Les fonts d’impureses emprades en els forns de difusió poden ésser gasoses, líquides o sòlides

Si el dopatge és fet amb donadors , el semiconductor obtingut és del tipus n , mentre que si és fet amb acceptors , és del tipus p A l’inici de la fabricació dels dispositius d’estat sòlid, les juncions s’obtenien mitjançant la fabricació d’aliatges metall-semiconductor En aquest mètode, es parteix d’una oblia de semiconductor on hom colloca una mica del metall apropiat El conjunt és escalfat a una temperatura prou alta perquè l’aliatge pugui realitzar-se, a continuació es refreda el conjunt i l’aliatge se solidifica La localització de la junció per aquest mètode és molt imprecisa ja que…

Si ocupa un estat de la banda de conducció, hom parla d' electró de conducció , mentre que si l’ocupa a la banda de valència, hom parla de forat En casos en què hi ha una banda d’impureses, l’electró pot saltar d’un estat a un altre d’aquesta banda i comportar-se com un portador de la banda d’impureses efecte hopping

És també el màxim valor energètic possible dels fermions al zero absolut de temperatura En el cas dels electrons d’un sòlid que són fermions, hom diu que el sòlid és un metall si el nivell de Fermi al zero absolut de temperatura és situat en una banda permesa d’energia si és situat a la banda prohibida d’energia, hom diu que el sòlid és un semiconductor El dopatge del semiconductor desplaça el nivell de Fermi cap a la banda de conducció, en el cas d’impureses donadores, és a dir en semiconductors de tipus n , o cap a la banda de valència, en el cas d’impureses…

Aquest fenomen fou descobert per Destriau el 1936 excitant una placa de sulfur de zinc amb corrent altern, però no fou utilitzat fins el 1952 que uns enginyers de Sylvania Electrical Products Inc desenvoluparen un panell electroluminescent a base de pols de sulfur de zinc En qualsevol procés electroluminescent l’energia elèctrica comunicada als electrons lliures d’un sòlid és transformada en llum L’energia elèctrica provoca un augment d’energia potencial o cinètica dels electrons que, en un procés posterior, es desexciten a estats de menys energia i emeten un fotó Segons la natura dels estats…

Aquest procés de generació pot ésser degut a transicions banda-banda intrínseques o a transicions en les quals participen nivells energètics situats a l’interval d’energia prohibida transicions extrínseques, originats per la presència de defectes o impureses en el semiconductor

A les zones on hi ha d’haver difusió d’alguna substància dopadora, la capa de sílice ha d’ésser sotmesa a un procés semblant al del fotogravat, per tal de formar-hi les obertures per on es difondran les impureses Aquest procés consisteix a recobrir l’oblia amb una pellícula uniforme d’emulsió fotosensible Després hom dibuixa generalment amb l’ajut d’un ordinador una representació ampliada en què figura la localització de les obertures per on cal eliminar la sílice Aleshores hom fotografia aquest dibuix repetidament fins a reduir-lo a la mida natural Aquest negatiu és collocat com…

La introducció d’aquests ions permet de canviar les propietats del material implantat, raó per la qual aquesta tècnica és, avui en dia, àmpliament utilitzada en electrònica així com en altres camps del tractament de materials, com la metallúrgia En el camp de l’electrònica hom la utilitza per a dopar les oblies de substrat semiconductor en el procés de fabricació dels dispositius i circuits integrats En els processos habituals, l’energia dels ions és compresa entre les desenes de keV i 500 keV, si bé aquest àmbit és ampliat cap a la zona de més baixes energies, per tal d’aconseguir unions poc…

En equilibri termodinàmic, el nivell de Fermi del sistema compost pels dos materials ha d’ésser el mateix i constant, i això significa d’una banda, la difusió de portadors entre els dos materials, a causa de la seva diferent concentració i, d’altra banda, l’aparició d’un camp elèctric intern originat per la variació de densitat de càrrega que en resulta Aquest camp elèctric creix a mesura que augmenta la variació de la densitat de càrrega, i dóna lloc a un potencial elèctric a la zona de transició entre els dos materials, on es produeix la variació de càrrega Així, cada vegada és més difícil…