Resultats de la cerca
Es mostren 26 resultats
metall-òxid-semiconductor
Electrònica i informàtica
Qualsevol dels dispositius d’estat sòlid constituïts per transistors d’efecte de camp.
La tecnologia MOS és la base de la majoria dels circuits emprats en memòries digitals i en microprocessadors L’avantatge més important dels circuits MOS respecte als circuits bipolars, quant a integració a gran escala, és que amb tecnologia MOS hom pot integrar més transistors i més funcions en un sol xip, perquè un transistor MOS individual ocupa menys superfície i no conté tants defectes per unitat d’àrea, atès el procés de fabricació amb menys passos d’altra banda, els circuits dinàmics, que requereixen menys transistors per a realitzar una funció determinada, són possibles de construir…
metall-aïllant-semiconductor
Electrònica i informàtica
Nom de caràcter més general que el de MOS que s’aplica a aquells dispositius semiconductors en què la capa aïllant de l’estructura està composta per un dielèctric qualsevol.
Un cas particular de MIS és l’estructura MOS, on el dielèctric és un òxid, generalment de silici
transistor d’efecte de camp metall-semiconductor
Electrònica i informàtica
Transistor d’efecte camp en què la modulació de la conductivitat del canal és feta a partir de la tensió aplicada a la porta, en aquest cas a través d’un contacte Schottky (metall-semiconductor); el semiconductor sol ésser un compost III-V.
La gran mobilitat dels portadors en aquests semiconductors fa que el MESFET sigui mol apropiat per al domini de l’alta freqüència microones i de la commutació a alta velocitat
transistor d’efecte de camp de metall-òxid-semiconductor
Electrònica i informàtica
Transistor on l’efecte de camp s’aplica a través d’una estructura metall-òxid-semiconductor.
També rep el nom d’IGFET Isolated Gate FET transistor
zona d’inversió
Electrònica i informàtica
En un dispositiu metall-aïllant-semiconductor, zona del semiconductor propera a l’aïllant on es produeix una acumulació de portadors minoritaris que inverteixen el caràcter elèctric del semiconductor.
Aquesta inversió es produeix en aplicar al metall un potencial suficient, de signe positiu si es tracta d’un semiconductor de tipus p o negatiu si es tracta d’un semiconductor de tipus n
llei de Richardson-Dushman
Electrònica i informàtica
Llei que expressa la variació de la densitat de corrent de saturació J, produïda en un càtode termoelectrònic metàl·lic, en funció de la seva temperatura absoluta T.
Aquesta relació és donada per J = AT 2 e - b / T , A i b essent unes constants pròpies de cada metall
dopatge
Electrònica i informàtica
Addició de petites quantitats d’impureses mitjançant diversos procediments a un semiconductor intrínsec a fi de modificar-ne les propietats, convertint-lo, així, en extrínsec.
Si el dopatge és fet amb donadors , el semiconductor obtingut és del tipus n , mentre que si és fet amb acceptors , és del tipus p A l’inici de la fabricació dels dispositius d’estat sòlid, les juncions s’obtenien mitjançant la fabricació d’aliatges metall-semiconductor En aquest mètode, es parteix d’una oblia de semiconductor on hom colloca una mica del metall apropiat El conjunt és escalfat a una temperatura prou alta perquè l’aliatge pugui realitzar-se, a continuació es refreda el conjunt i l’aliatge se solidifica La localització de la junció per aquest mètode és…
junció
Electrònica i informàtica
Zona de transició que es manifesta en posar en contacte un semiconductor i un altre material de propietats diferents (un semiconductor, un metall, un líquid electrolític, etc) a causa de l’adaptació dels nivells de Fermi d’ambdós materials.
En equilibri termodinàmic, el nivell de Fermi del sistema compost pels dos materials ha d’ésser el mateix i constant, i això significa d’una banda, la difusió de portadors entre els dos materials, a causa de la seva diferent concentració i, d’altra banda, l’aparició d’un camp elèctric intern originat per la variació de densitat de càrrega que en resulta Aquest camp elèctric creix a mesura que augmenta la variació de la densitat de càrrega, i dóna lloc a un potencial elèctric a la zona de transició entre els dos materials, on es produeix la variació de càrrega Així, cada vegada és més difícil…
efecte fotovoltaic
Electrònica i informàtica
Efecte fotoelèctric caracteritzat per la producció d’una fem entre dues peces de material diferent que són en contacte i exposades a la llum o, en general, a una radiació electromagnètica.
Aquest efecte és notable entre un metall i un semiconductor i especialment en una junció pn de semiconductor com el silici, i constitueix el principi de les cèllules fotovoltaiques
fil
Electrònica i informàtica
Cos metàl·lic flexible, de forma capil·lar i de longitud indefinida, generalment recobert per una capa aïllant, emprat per a conduir l’electricitat.
El metall ha d’ésser bon conductor coure o alumini, per tal que hi hagi poca resistència Sovint hom empra un gran nombre de fils parallels per a formar els diferents tipus de cables cable