Resultats de la cerca

Aquesta inversió es produeix en aplicar al metall un potencial suficient, de signe positiu si es tracta d’un semiconductor de tipus p o negatiu si es tracta d’un semiconductor de tipus n

En un semiconductor de silici, generalment són emprats l’antimoni, el fòsfor i l’arsènic El semiconductor amb àtoms donadors presenta una conductivitat elevada deguda als electrons lliures un semiconductor en aquestes condicions és anomenat de tipus n

Els fotodetectors són molt importants en sistemes de comunicació per fibra òptica, on operen en la regió de l’infraroig proper 0,8 a 1,6 μm de longitud d’ona En aquests sistemes, llur missió és la desmodulació de senyals òptics, és a dir, la conversió en senyals elèctrics, que més tard són amplificats i finalment processats Per aquestes aplicacions els fotodetectors han de tenir característiques molt rigoroses, com ara alta sensibilitat en les longituds d’ona en què treballa el sistema, gran velocitat de resposta i mínim soroll, i han de poder funcionar amb petites intensitats de corrent i…

Si el dopatge és fet amb donadors , el semiconductor obtingut és del tipus n , mentre que si és fet amb acceptors , és del tipus p A l’inici de la fabricació dels dispositius d’estat sòlid, les juncions s’obtenien mitjançant la fabricació d’aliatges metall-semiconductor En aquest mètode, es parteix d’una oblia de semiconductor on hom colloca una mica del metall apropiat El conjunt és escalfat a una temperatura prou alta perquè l’aliatge pugui realitzar-se, a continuació es refreda el conjunt i l’aliatge se solidifica La localització de la junció per…

L’alumini, el bor, el galli i l’indi són els més comuns La presència dels àtoms acceptors crea en l’estructura cristallina una sèrie de forats que contribueixen a augmentar la conductivitat del semiconductor Quan aquest conté acceptors, hom diu que és un semiconductor de tipus p

Aquest procés de generació pot ésser degut a transicions banda-banda intrínseques o a transicions en les quals participen nivells energètics situats a l’interval d’energia prohibida transicions extrínseques, originats per la presència de defectes o impureses en el semiconductor

Hom parla de semiconductors de gap directe quan els esmentats mínim i màxim corresponen al mateix valor de vector d'ona 1 quan aquest és diferent, el semiconductor és de gap indirecte

La seva presència contribueix al transport de càrrega i energia En un cristall perfecte, on tots els enllaços estan saturats, el desplaçament d’electrons lligats o de valència no pot produir-se en virtut del principi d’exclusió de Pauli La presència d’enllaços vacants és el que fa possible el desplaçament dels electrons de valència quan un camp elèctric extern és aplicat a un semiconductor Així, en aquests, el conjunt d’electrons de valència participa també en la conducció, i la mobilitat dels electrons lligats depèn del nombre d’enllaços vacants La seva creació, és a dir, la creació d’estats…

El material semiconductor s’incorpora sobre un substrat mitjançant un procés de deposició Algunes d’aquestes cèllules actualment comercialitzades són les cèllules de silici amorf, les de silici nanocristallí, les de tellur de cadmi, les CIS o CIGS selenur de galli, indi i coure, etc

Els paràmetres que controlen el procés són el coeficient de difusió de la impuresa en el material semiconductor, la temperatura i el temps A fi de controlar d’una manera precisa el perfil d’impureses, que serà un dels elements fonamentals que determinaran les característiques elèctriques dels dispositius, calen procediments de difusió amb un control estricte de la temperatura sobre tota la longitud d’escalfament Les fonts d’impureses emprades en els forns de difusió poden ésser gasoses, líquides o sòlides