Resultats de la cerca

Aquest efecte és notable entre un metall i un semiconductor i especialment en una junció pn de semiconductor com el silici, i constitueix el principi de les cèllules fotovoltaiques

És també el màxim valor energètic possible dels fermions al zero absolut de temperatura En el cas dels electrons d’un sòlid que són fermions, hom diu que el sòlid és un metall si el nivell de Fermi al zero absolut de temperatura és situat en una banda permesa d’energia si és situat a la banda prohibida d’energia, hom diu que el sòlid és un semiconductor El dopatge del semiconductor desplaça el nivell de Fermi cap a la banda de conducció, en el cas d’impureses donadores, és a dir en semiconductors de tipus n , o cap a la banda de valència, en el cas d’impureses…

En equilibri termodinàmic, el nivell de Fermi del sistema compost pels dos materials ha d’ésser el mateix i constant, i això significa d’una banda, la difusió de portadors entre els dos materials, a causa de la seva diferent concentració i, d’altra banda, l’aparició d’un camp elèctric intern originat per la variació de densitat de càrrega que en resulta Aquest camp elèctric creix a mesura que augmenta la variació de la densitat de càrrega, i dóna lloc a un potencial elèctric a la zona de transició entre els dos materials, on es produeix la variació de càrrega Així, cada vegada és…

En aquests semiconductors, l’aplicació d’un camp elèctric superior o un cert valor llindar produeix la transferència d’electrons del mínim absolut de la banda de conducció a un altre mínim superior en què els electrons tenen una mobilitat més petita i, per tant, la seva velocitat de desplaçament resulta disminuïda Aquesta disminució produeix l’aparició en el semiconductor d’una acumulació de càrrega seguida d’una zona de buidament, que rep el nom de domini Aquests dipols o dominis es desplacen en el temps al llarg del semiconductor, des del càtode fins a l’ànode, on produeixen un…

Per l’ànode entra el corrent al dispositiu i, per tant, en surten els electrons cap al circuit exterior L’ànode és, doncs, l’elèctrode positiu en els dispositius alimentats per una font exterior de tensió i l’elèctrode negatiu en els dispositius generadors, piles o acumuladors En els tubs electrònics l’ànode, dit també placa , rep els electrons procedents del càtode gràcies a la tensió existent entre ambdós elèctrodes En un electròlit, l’ànode rep els anions de la solució, els quals són neutralitzats elèctricament, de forma que els electrons alliberats surten cap al circuit exterior En una…

Per tant, en els dispositius alimentats per una font de tensió exterior, pel càtode entren els electrons del circuit exterior cap a l’interior del dispositiu, i, per això, és l’electrode negatiu en canvi, és el positiu en els generadors electroquímics, piles o acumuladors En els tubs electrònics el càtode produeix electrons per algun tipus d’emissió termoelectrònica, fotoelectrònica, etc, els quals són atrets per l’ànode segons el tipus d’emissió hom parla de càtode termoelectrònic, càtode fotoelectrònic, càtode fred, etc En un rectificador sòlid, el càtode forneix també els electrons que, a…

És emprat com a pigment abrasiu, semiconductor i catalitzador

Els contactes obtinguts sobre el semiconductor poden ésser de tipus òhmic o rectificador

Són emprades com a pigment i per a augmentar la resistència a l’abrasió en els elastòmers, i en estat pur, com a semiconductor

Té una especial importància la interfície aïllant-semiconductor en estructures MOS perquè és causa d’una successió d’estats d’energia que alteren les característiques elèctriques del dispositiu