Resultats de la cerca
Es mostren 101 resultats
junció
Electrònica i informàtica
Zona de transició que es manifesta en posar en contacte un semiconductor i un altre material de propietats diferents (un semiconductor, un metall, un líquid electrolític, etc) a causa de l’adaptació dels nivells de Fermi d’ambdós materials.
En equilibri termodinàmic, el nivell de Fermi del sistema compost pels dos materials ha d’ésser el mateix i constant, i això significa d’una banda, la difusió de portadors entre els dos materials, a causa de la seva diferent concentració i, d’altra banda, l’aparició d’un camp elèctric intern originat per la variació de densitat de càrrega que en resulta Aquest camp elèctric creix a mesura que augmenta la variació de la densitat de càrrega, i dóna lloc a un potencial elèctric a la zona de transició entre els dos materials, on es produeix la variació de càrrega Així, cada vegada és més difícil…
nivell de Fermi
Electrònica i informàtica
Física
Valor de la posició energètica en la qual un estat d’energia té una probabilitat d’un 50% d’ésser ocupat per fermions.
És també el màxim valor energètic possible dels fermions al zero absolut de temperatura En el cas dels electrons d’un sòlid que són fermions, hom diu que el sòlid és un metall si el nivell de Fermi al zero absolut de temperatura és situat en una banda permesa d’energia si és situat a la banda prohibida d’energia, hom diu que el sòlid és un semiconductor El dopatge del semiconductor desplaça el nivell de Fermi cap a la banda de conducció, en el cas d’impureses donadores, és a dir en semiconductors de tipus n , o cap a la banda de valència, en el cas d’impureses…
efecte fotovoltaic
Electrònica i informàtica
Efecte fotoelèctric caracteritzat per la producció d’una fem entre dues peces de material diferent que són en contacte i exposades a la llum o, en general, a una radiació electromagnètica.
Aquest efecte és notable entre un metall i un semiconductor i especialment en una junció pn de semiconductor com el silici, i constitueix el principi de les cèllules fotovoltaiques
efecte Gunn
Electrònica i informàtica
Efecte descobert el 1963 pel físic J.B. Gunn, en els semiconductors del grup III-V com l’arsenur de gal·li i el fosfur de gal·li de tipus n.
En aquests semiconductors, l’aplicació d’un camp elèctric superior o un cert valor llindar produeix la transferència d’electrons del mínim absolut de la banda de conducció a un altre mínim superior en què els electrons tenen una mobilitat més petita i, per tant, la seva velocitat de desplaçament resulta disminuïda Aquesta disminució produeix l’aparició en el semiconductor d’una acumulació de càrrega seguida d’una zona de buidament, que rep el nom de domini Aquests dipols o dominis es desplacen en el temps al llarg del semiconductor, des del càtode fins a l’ànode, on…
ànode
Electrònica i informàtica
Química
Elèctrode receptor de càrregues negatives en tots aquells dispositius a l’interior dels quals existeix un medi no metàl·lic (gas més o menys enrarit, electròlit o semiconductor) que esdevé conductor sota determinades condicions.
Per l’ànode entra el corrent al dispositiu i, per tant, en surten els electrons cap al circuit exterior L’ànode és, doncs, l’elèctrode positiu en els dispositius alimentats per una font exterior de tensió i l’elèctrode negatiu en els dispositius generadors, piles o acumuladors En els tubs electrònics l’ànode, dit també placa , rep els electrons procedents del càtode gràcies a la tensió existent entre ambdós elèctrodes En un electròlit, l’ànode rep els anions de la solució, els quals són neutralitzats elèctricament, de forma que els electrons alliberats surten cap al circuit exterior En una…
càtode
Electrònica i informàtica
Química
Elèctrode fornidor de càrregues negatives i receptor de les positives en tots aquells dispositius a l’interior dels quals hi ha un medi no metàl·lic (gas més o menys enrarit, electròlit o semiconductor) que esdevé conductor sota determinades condicions.
Per tant, en els dispositius alimentats per una font de tensió exterior, pel càtode entren els electrons del circuit exterior cap a l’interior del dispositiu, i, per això, és l’electrode negatiu en canvi, és el positiu en els generadors electroquímics, piles o acumuladors En els tubs electrònics el càtode produeix electrons per algun tipus d’emissió termoelectrònica, fotoelectrònica, etc, els quals són atrets per l’ànode segons el tipus d’emissió hom parla de càtode termoelectrònic, càtode fotoelectrònic, càtode fred, etc En un rectificador sòlid, el càtode forneix també els electrons que, a…
òxid de crom
Química
Verd de crom que hom obté per reacció del cromat o del dicromat de sodi amb sofre.
És emprat com a pigment abrasiu, semiconductor i catalitzador
metal·lització
Electrònica i informàtica
En microelectrònica, procés emprat en la realització de circuits integrats consistent en la deposició de metalls sobre semiconductors o aïllants.
Els contactes obtinguts sobre el semiconductor poden ésser de tipus òhmic o rectificador
selenur de cadmi
Química
Pólvores vermelles, molt estables a altes temperatures, insolubles en aigua.
Són emprades com a pigment i per a augmentar la resistència a l’abrasió en els elastòmers, i en estat pur, com a semiconductor
interfície
Electrònica i informàtica
En física de semiconductors, superfície de contacte entre dos materials diferents.
Té una especial importància la interfície aïllant-semiconductor en estructures MOS perquè és causa d’una successió d’estats d’energia que alteren les característiques elèctriques del dispositiu