Resultats de la cerca
Es mostren 101 resultats
borazó
Química
Nitrur de bor format a una temperatura (1 800°C) i una pressió (85 atm) molt altes a partir de mescles de bor i nitrogen o de nitrur de bor hexagonal en presència de catalitzadors tals com liti, calci, magnesi o llurs nitrurs.
Té un arranjament cúbic dels seus àtoms en el reticle cristallí És, potser, la substància més dura coneguda pot substituir el diamant amb avantatge en certes aplicacions tècniques És emprat també com a semiconductor
carbur de silici
Química
Cristalls negres de gran duresa (9 en l’escala de Mohs), molt inerts, que se sublimen amb descomposició a 2 200°C.
Hom l’obté per combinació directa dels seus elements o per reducció de la sílice amb carboni És un dels materials més durs conegut i troba aplicació com a refractari, abrasiu i, en forma de monocristalls, com a semiconductor
termistància
Electrònica i informàtica
Element que posseeix una resistència variable amb la temperatura.
Generalment són fetes amb material semiconductor i tenen un coeficient de temperatura negatiu dites resistències NTC Tenen diverses aplicacions, especialment per a la mesura de temperatures i en circuits de regulació, estabilització o compensació de temperatura També n'hi ha amb coeficient de temperatura positiu resistències PTC
díode
díode: 1, característica V-1 d’un díode ideal pn; quan està polaritzat en inversa, pel circuit circula un feble corrent Io anomenat corrent invers de saturació; 2, característica V-I d’un díode de germani; hom observa l’existència d’un voltatge llindar de 0.1 V; 3, distribució de càrrega en una junció pn en equilibri termodinàmic; 4, diagrama de les bandes d’energia d’una junció pn a l’equilibri termodinàmic; ECN i ECP representen els nivells d’energia de la banda de conducció en les regions n i p respectivament, mentre que EVN i EVP es refereixen a la banda de valència; 5, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en directa; 6, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en inversa; els portadors lliures que tenen l’energia tèrmica suficient poden travessar la zona de càrrega espacial i donen lloc al corrent invers de saturació Io
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic proveït de dos elèctrodes, ànode i càtode, que té la propietat d’ésser conductor en el sentit càtode-ànode, però no al revés.
Aquest funcionament li confereix propietats rectificadores dels senyals elèctrics, les quals ja foren observades per F Braun el 1876 en collocar una punta metàllica sobre sulfur de plom Això donà lloc a la utilització de la galena com a detector en els primers receptors de ràdio Els primers díodes, com a tals, eren basats en tubs de buit o de gas Fleming i de Forest, 1909 on era produïda una emissió termoiònica descoberta per Edison el 1893 i explicada per DW Richardson, el 1903 Els tubs posseeixen un càtode calent escalfat mitjançant un filament incandescent que emet electrons per emissió…
òxid de zinc
Química
Pólvores blanques amorfes, solubles en àcids i àlcalis, que es fonen a 1 975°C.
Hom l’obté per oxidació del zinc en fase de vapor És emprat com a pigment, i presenta l’absorció de llum ultraviolada més forta de tots els pigments comercials Com a pigment, és també conegut pels noms de blanc de la Xina i blanc de zinc És també emprat en la preparació de les sals de zinc, en medicina i en electrònica, com a semiconductor i fotoconductor
oscil·lador de freqüència controlada per tensió
Electrònica i informàtica
Oscil·lador en el qual una de les reactàncies que formen el seu circuit ressonant varia proporcionadament amb una tensió de control.
El sistema més habitual és utilitzar en el circuit ressonant un díode varactor, dispositiu semiconductor que presenta una capacitat variable en funció de la tensió inversa de polarització El mateix efecte es pot produir si s’utilitza com a ressonador una esfera YIG Solen ser habituals marges de variació de freqüència d’una octava Es poden utilitzar directament com a moduladors de freqüència, encara que la seva aplicació principal és en sintetitzadors de freqüència
implantació iònica
Implantació iònica el feix d’ions incideix sobre les mostres mitjançant el tub accelerador
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Procediment que consisteix a bombardejar un material amb àtoms ionitzats de prou energia per a penetrar més enllà de la capa superficial del material.
La introducció d’aquests ions permet de canviar les propietats del material implantat, raó per la qual aquesta tècnica és, avui en dia, àmpliament utilitzada en electrònica així com en altres camps del tractament de materials, com la metallúrgia En el camp de l’electrònica hom la utilitza per a dopar les oblies de substrat semiconductor en el procés de fabricació dels dispositius i circuits integrats En els processos habituals, l’energia dels ions és compresa entre les desenes de keV i 500 keV, si bé aquest àmbit és ampliat cap a la zona de més baixes energies, per tal d’…
Herbert Kroemer
Física
Físic alemany naturalitzat nord-americà.
El 1952 es doctorà en física teòrica a la Universitat de Göttingen Treballa al departament de materials de la Universitat de Califòrnia a Santa Barbara Rebé el premi Nobel de física del 2000 juntament amb Zhores IAlferov i Jack SKilby, pel desenvolupament d’heteroestructures de semiconductor usades en electrònica d’alta velocitat i optoelectrònica, presents actualment en els lectors òptics, els discs compactes i els mitjans d’emmagatzematge d’informació, entre d’altres Els tres guardonats establiren les bases de la moderna tecnologia de la informació
nanotecnologia
Construcció i obres públiques
Química
Creació i ús de materials i processos a escala nanomètrica amb precisió atòmica.
La construcció d’estructures orgàniques o inorgàniques a nanoescala i l’exploració de les seves aplicacions pràctiques ocupen un lloc important en la recerca actual La investigació es dirigeix a determinar les propietats dels materials en l’escala nanomètrica i a crear nanomaterials amb propietats especials Les estructures més útils i conegudes són els nanotubs de carboni, que poden tenir caràcter metàllic o semiconductor quan en varia el diàmetre i l’ordenació dels anells de grafit de les parets, la qual cosa por ésser útil en la fabricació de dispositius nanoelèctrics
orticó
Electrònica i informàtica
Comunicació
Tub analitzador d’imatge basat en l’iconoscopi però, a diferència d’aquest, el feix electrònic té una velocitat petita a fi d’evitar l’emissió secundària.
Fou ideat per HIams i ARose el 1939 i consta d’un canó d’electrons, d’una bobina de concentració, de dues plaques paralleles per a la desviació horitzontal del feix electrònic, de dues bobines en oposició per a la desviació vertical, i d’una placa collectora dels electrons no capturats pel mosaic L’orticó resultava més eficaç que l’iconoscopi i és més manejable, però fou superat per l' orticó d’imatge o superorticó , versió perfeccionada de l’orticó que posseeix una placa acumuladora dels fotoelectrons procedents del mosaic i presenta una elevadíssima sensibilitat a la llum, àdhuc quan…