Resultats de la cerca

Generalment és constituït per un díode de junció díode amb les característiques d’intensitat-tensió pròpies d’aquest tipus de dispositius semiconductors així, per als petits voltatges, presenta impedàncies superiors al megaohm mentre que, a partir d’un determinat llindar, aquesta cau a valors de l’ordre de les desenes d’ohm Muntant-ne dos en parallel, amb les polaritats invertides, hom aconsegueix que actuïn com a dispositiu limitador de tensió

Actualment la majoria de les cèllules fotovoltaiques es fabriquen a partir de semiconductors, especialment silici i compostos com ara telluri i sulfur de cadmi, arsenur de galli o CIS coure, indi i seleni, amb els quals es creen juncions amb una capa que té un excés de càrregues negatives i una altra amb excés de càrregues positives La incidència de fotons sobre la cèllula fa possible la generació de corrent elèctric entre les dues capes, amb unes característiques de corrent i tensió pròpies per a cada model o tipus de cèllula Tret de les cèllules de capa fina deposicions sobre…

Actualment, ja no se'n construeixen, perquè han estat superades pels convertidors estàtics, primerament pels de vapor de mercuri, i darrerament pels de semiconductors seleni, silici Era una màquina de corrent continu, però el seu induït, a més del collector, tenia un joc d’anells per on, amb unes escombretes, prenia o donava el corrent altern el corrent continu entrava o sortia pel collector També podia treballar com a convertidor de freqüència

Estudià a la Universitat de Heildeberg i a la Universitat Tècnica de Munic Especialitzat en física teòrica, les seves primeres recerques es relacionaren amb l’estudi de traces en semiconductors Es traslladà al Massachusetts Tecnological Institute MIT, on començà l’estudi de la condensació de Bose-Einstein Finalment obtingué un condensat d’àtoms de sodi a temperatures molt properes a 0 K Per aquest descobriment rebé el premi Nobel de física el 2001, juntament amb EACornell i CEWieman

En electrònica, és deguda sovint a un efecte de canvi de certes propietats, sobretot la resistivitat, dels semiconductors, motiu pel qual el corrent varia amb la temperaturaEn els transistors provoca un desplaçament del punt de treball, la qual cosa introdueix sempre una certa distorsió en el senyal de sortida aquest efecte és particularment enutjós en els amplificadors de corrent continu, perquè pot donar lloc a un corrent continu de sortida en absència de senyal d’entrada La deriva és també perjudicial en els amplificadors operacionals, perquè fa desplaçar el zero com a punt de…

Aquesta emissió, a diferència de la fluorescència, persisteix durant un quant temos després de suprimida l’excitació Primerament la seva intensitat disminueix segons una funció exponencial del temps com la fluorescència, i després més lentament, segons una cinètica més complicada Els espectres de l’emissió fluorescent i de la fosforescent solen ésser idèntics, i la superior persistència de la segona sorgeix del fet que determinats estats electrònics metaestables són “congelats”, i n'esdevé necessària l’excitació tèrmica per a produir l’emissió Moltes vegades aquests estats corresponen als…

Els electròlits són generalment àcids, bases o sals, i hom els classifica en forts o febles, segons que llur dissociació sigui completa o no, i en ionòfors i ionògens, segons que els ions en estat sòlid preexisteixin o no La dissociació parcial de l’electròlit permet de parlar d’un grau de dissociació, que ha estat estudiat i interpretat mitjançant les teories d'Arrhenius i de Debye-Hückel La conductivitat electrolítica és producte del moviment dels ions positius i negatius, i això la diferencia de la conductivitat deguda als electrons cas de la conducció en els metalls i en els …

El 1955 es graduà a la Universitat de Pennsilvània i el 1959 es doctorà a la Universitat de Chicago Des d’aquest any fins a la jubilació 1986 treballà als Bell Laboratories on, amb Willard Sterling Boyle Boyle, feu aportacions fonamentals en semiconductors , entre les quals sobresurt el detector CCD o detector de dispositiu d’acoblament de càrrega, de gran importància en el desenvolupament de la tecnologia digital en aparells òptics Ha compartit amb Boyle diversos premis, entre els quals el Liebmann 1973, el Draper d’enginyeria 2006, i el Nobel de física 2009, la meitat del qual…

Consisteix en una palanca microscòpica amb una punta afilada a l’extrem, la qual es pot desplaçar per sobre de la superfície que es vol estudiar Quan la distància entre la punta i la superfície varia per la seva rugositat, la força entre elles també varia, cosa que dóna lloc a una flexió de la palanca, que pot ser mesurada, i en resulta un mapa topogràfic de la superfície A diferència del microscopi d’escaneig per efecte túnel, la punta no és conductora i no es mesura el corrent entre punta i superfície, fet que permet estudiar materials que no són conductors ni semiconductors