Resultats de la cerca

Un cop construïts, hom talla el disc en un cert nombre de daus quadrats xips , cadascun dels quals conté un circuit integrat individual Aquests discos també poden servir per a la fabricació de cèllules fotovoltaiques En aquest cas, s’hi fan uns tractaments amb dopants i s’hi insereixen elements conductors elèctrics per ambdues cares, a més d’altres manipulacions, per aconseguir que s’hi generi un potencial elèctric quan hi incideix la llum

El primers dispositius construïts enfoquen dos raigs de llum coherent idèntics dins d’una cavitat on una oblia de silici els refracta i reflecteix internament de manera repetida, de manera que les seves ones són anullades per interferència destructiva o, en la majoria dels casos, els seus fotons són absorvits per l’oblia El dispositiu té una eficiència superior al 99%

A les zones on hi ha d’haver difusió d’alguna substància dopadora, la capa de sílice ha d’ésser sotmesa a un procés semblant al del fotogravat, per tal de formar-hi les obertures per on es difondran les impureses Aquest procés consisteix a recobrir l’oblia amb una pellícula uniforme d’emulsió fotosensible Després hom dibuixa generalment amb l’ajut d’un ordinador una representació ampliada en què figura la localització de les obertures per on cal eliminar la sílice Aleshores hom fotografia aquest dibuix repetidament fins a reduir-lo a la mida natural Aquest negatiu és collocat com…

Si el dopatge és fet amb donadors , el semiconductor obtingut és del tipus n , mentre que si és fet amb acceptors , és del tipus p A l’inici de la fabricació dels dispositius d’estat sòlid, les juncions s’obtenien mitjançant la fabricació d’aliatges metall-semiconductor En aquest mètode, es parteix d’una oblia de semiconductor on hom colloca una mica del metall apropiat El conjunt és escalfat a una temperatura prou alta perquè l’aliatge pugui realitzar-se, a continuació es refreda el conjunt i l’aliatge se solidifica La localització de la junció per aquest mètode és molt…

Els paràmetres que controlen el procés són el coeficient de difusió de la impuresa en el material semiconductor, la temperatura i el temps A fi de controlar d’una manera precisa el perfil d’impureses, que serà un dels elements fonamentals que determinaran les característiques elèctriques dels dispositius, calen procediments de difusió amb un control estricte de la temperatura sobre tota la longitud d’escalfament Les fonts d’impureses emprades en els forns de difusió poden ésser gasoses, líquides o sòlides

La importància actual de l’electrònica Si haguéssim d’indicar la disciplina tecnològica i el sector industrial corresponent que més han caracteritzat el segle XX i que més han canviat els nostres hàbits i la nostra manera de vida, no hi ha dubte que la tria recauria sobre l’electrònica Bona part dels aparells i dels instruments que fem servir quotidianament per a comunicar-nos, per a rebre, emmagatzemar i elaborar informacions, o per a gaudir del nostre temps lliure, són “criatures” de l’electrònica La ràdio, que engeguem per tal de sintonitzar l’emissora que emet la nostra música preferida o…