Resultats de la cerca

La tecnologia MOS és la base de la majoria dels circuits emprats en memòries digitals i en microprocessadors L’avantatge més important dels circuits MOS respecte als circuits bipolars, quant a integració a gran escala, és que amb tecnologia MOS hom pot integrar més transistors i més funcions en un sol xip, perquè un transistor MOS individual ocupa menys superfície i no conté tants defectes per unitat d’àrea, atès el procés de fabricació amb menys passos d’altra banda, els circuits dinàmics, que requereixen menys transistors per a realitzar una funció determinada, són possibles de construir…

També rep el nom d’IGFET Isolated Gate FET transistor

És basada en la tecnologia FAMOS, és a dir MOS de porta flotant El dispositiu presenta dues portes superposades de metall o silici policristallí, una en contacte amb l’exterior i l’altra flotant dins de l’òxid Quan hom connecta una tensió elevada a la porta exterior i al drenador, s’injecta càrrega a través de l’òxid emmagatzemat a la porta flotant Aquesta càrrega impedeix que es formi el canal quan s’aplica una tensió usual a la porta, i fa que el MOSFET no sigui conductor, cosa que equival a dir que hi ha un “1” enregistrat en una cèllula determinada Si hom vol…

Un cas particular de MIS és l’estructura MOS, on el dielèctric és un òxid, generalment de silici

Hom els realitza també sobre substrats aïllants, com ara l’òxid de silici, i aleshores reben el nom de SOI Silicon On Insulatur

Ara bé, entre gra i gra hi ha una capa d’interconnexió o ciment de material no cristallí Entre altres, hom utilitza semiconductors policristallins, com l’òxid de zinc per a aplicacions especials, com díodes varistors i el silici policristallí per a realitzar les portes dels dispositius MOS, ja que presenta avantatges tecnològics respecte a les portes de metall

El seu principi de funcionament es basa en el moviment de l’ió liti entre ànode i càtode descàrrega i entre càtode i ànode càrrega Usualment l’ànode sol ser grafit, mentre que el càtode és un òxid o una sal de liti Ambdós materials han de permetre que l’ió liti pugui migrar d’un a l’altre L’electròlit és una sal de liti dissolta en un solvent orgànic

Hom les realitza en tecnologia FAMOS , és a dir com un MOS de porta flotant, amb un gruix d’òxid aproximat de 0,01 nm, que permet la conducció d’electrons cap a la porta flotant, mitjançant un mecanisme de conducció basat en l'efecte túnel , quan s’aplica una tensió elevada a la porta de la cèllula També se les coneix per les sigles EAROM i EEROM

Es tracta d’una evolució de les bateries d’ió liti que permet fer-ne de més petites, lleugeres i amb formes adaptables Es basa en una solució de sals de liti que permet l’intercanvi d’ions entre l’ànode, normalment de carboni, i el càtode, habitualment un òxid metàllic La diferència amb les bateries d’ió liti radica en què les sals de liti no estan dissoltes en un solvent orgànic sinó en un polímer sòlid o gelatinós

A les zones on hi ha d’haver difusió d’alguna substància dopadora, la capa de sílice ha d’ésser sotmesa a un procés semblant al del fotogravat, per tal de formar-hi les obertures per on es difondran les impureses Aquest procés consisteix a recobrir l’oblia amb una pellícula uniforme d’emulsió fotosensible Després hom dibuixa generalment amb l’ajut d’un ordinador una representació ampliada en què figura la localització de les obertures per on cal eliminar la sílice Aleshores hom fotografia aquest dibuix repetidament fins a reduir-lo a la mida natural Aquest negatiu és collocat com a màscara…