Resultats de la cerca
Es mostren 36 resultats
junció
Electrònica i informàtica
Zona de transició que es manifesta en posar en contacte un semiconductor i un altre material de propietats diferents (un semiconductor, un metall, un líquid electrolític, etc) a causa de l’adaptació dels nivells de Fermi d’ambdós materials.
En equilibri termodinàmic, el nivell de Fermi del sistema compost pels dos materials ha d’ésser el mateix i constant, i això significa d’una banda, la difusió de portadors entre els dos materials, a causa de la seva diferent concentració i, d’altra banda, l’aparició d’un camp elèctric intern originat per la variació de densitat de càrrega que en resulta Aquest camp elèctric creix a mesura que augmenta la variació de la densitat de càrrega, i dóna lloc a un potencial elèctric a la zona de transició entre els dos materials, on es produeix la variació de càrrega Així, cada vegada és més difícil…
díode
díode: 1, característica V-1 d’un díode ideal pn; quan està polaritzat en inversa, pel circuit circula un feble corrent Io anomenat corrent invers de saturació; 2, característica V-I d’un díode de germani; hom observa l’existència d’un voltatge llindar de 0.1 V; 3, distribució de càrrega en una junció pn en equilibri termodinàmic; 4, diagrama de les bandes d’energia d’una junció pn a l’equilibri termodinàmic; ECN i ECP representen els nivells d’energia de la banda de conducció en les regions n i p respectivament, mentre que EVN i EVP es refereixen a la banda de valència; 5, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en directa; 6, diagrama de bandes d’energia d’una junció pn polaritzada en inversa; els portadors lliures que tenen l’energia tèrmica suficient poden travessar la zona de càrrega espacial i donen lloc al corrent invers de saturació Io
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic proveït de dos elèctrodes, ànode i càtode, que té la propietat d’ésser conductor en el sentit càtode-ànode, però no al revés.
Aquest funcionament li confereix propietats rectificadores dels senyals elèctrics, les quals ja foren observades per F Braun el 1876 en collocar una punta metàllica sobre sulfur de plom Això donà lloc a la utilització de la galena com a detector en els primers receptors de ràdio Els primers díodes, com a tals, eren basats en tubs de buit o de gas Fleming i de Forest, 1909 on era produïda una emissió termoiònica descoberta per Edison el 1893 i explicada per DW Richardson, el 1903 Els tubs posseeixen un càtode calent escalfat mitjançant un filament incandescent que emet electrons per emissió…
transistor
Tira de transistor bipolars
© Fototeca.cat
Electrònica i informàtica
Dispositiu electrònic d’estat sòlid, basat en les propietats conductores dels materials semiconductors, que hom empra per a controlar o amplificar un corrent elèctric.
Les seves petites dimensions, fiabilitat, durada, baix consum, preu, etc, els ha permès de substituir avantatjosament els tubs electrònics, de manera que, actualment, aquests només són utilitzats en aplicacions molt especials L’evolució de l’electrònica dels semiconductors és ben palesa pel que fa al perfeccionament dels transistors, sobretot quant a la tecnologia de fabricació i també en el desenvolupament de nous tipus o models El primer transistor fou descobert el 1948 pels físics nord-americans JBarden i WBrattain, que juntament amb WSchockley treballaven als laboratoris de la Bell…
varactor
Electrònica i informàtica
Dispositiu que posseeix una capacitat variable, que depèn de la tensió aplicada.
És constituït per una junció pn polaritzada en sentit invers d’aquesta manera la tensió fa variar el gruix de la zona de transició i, per tant, la capacitat
efecte fotovoltaic
Electrònica i informàtica
Efecte fotoelèctric caracteritzat per la producció d’una fem entre dues peces de material diferent que són en contacte i exposades a la llum o, en general, a una radiació electromagnètica.
Aquest efecte és notable entre un metall i un semiconductor i especialment en una junció pn de semiconductor com el silici, i constitueix el principi de les cèllules fotovoltaiques
William Bradford Shockley
Física
Físic nord-americà d’origen anglès.
Fou un dels contribuïdors més decisius en l’estudi dels semiconductors i llurs aplicacions perfeccionà el primitiu transistor i elaborà el de junció Publicà Electrons and Holes in Semiconductors 1950, obra bàsica en aquest camp El 1956 rebé, juntament amb Bardeen i Brattain, el premi Nobel de física
varistor
Electrònica i informàtica
Dispositiu la resistència del qual varia segons la tensió que li és aplicada.
Generalment és constituït per un díode de junció díode amb les característiques d’intensitat-tensió pròpies d’aquest tipus de dispositius semiconductors així, per als petits voltatges, presenta impedàncies superiors al megaohm mentre que, a partir d’un determinat llindar, aquesta cau a valors de l’ordre de les desenes d’ohm Muntant-ne dos en parallel, amb les polaritats invertides, hom aconsegueix que actuïn com a dispositiu limitador de tensió
pin
Electrònica i informàtica
Tipus de díode en el qual una capa de material intrínsec o poc dopat i està situada entre dues capes més dopades, una p i l’altra n.
A causa del poc dopatge de la zona i , la majoria del potencial aplicat al díode recau en aquesta regió, la qual dóna lloc a una característica intensitat-voltatge molt interessant, tant en el cas de polarització directa com en el cas de polarització inversa a baixes freqüències es comporta de forma similar a una junció p-n, però a altes freqüències es comporta com una resistència variable Per raó d’aquestes especials característiques, el díode pin té un gran nombre d’aplicacions, sobretot en circuits de microones
efecte Josephson
Electrònica i informàtica
Efecte descobert el 1962 per B.D. Josephson que consisteix en el pas de corrent elèctric a través de dues peces de superconductor separades per una capa fina de material aïllant.
Perquè es produeixi l’efecte cal mantenir el sistema a una temperatura pròxima al zero absolut a fi que el superconductor presenti una resistència gairebé nulla El pas de corrent és afectat per la presència de camps magnètics pròxims Aquest dispositiu, conegut com a junció Josephson , permet de generar oscillacions de freqüència molt elevada i presenta diverses aplicacions pràctiques, alhora que obre noves possibilitats a l’electrònica ja que permet de fer circuits d’alta sensibilitat, capaços de detectar camps magnètics, etc, dins valors baixíssims, inapreciables amb altres sistemes Segons…